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A

DIP

전자부품을 프린트 기판에 실장하는 방법의 한가지。기판의 스루 홀에 전자부품의 솔더 테일(납땜한 단자)을 삽입해, 납땜수조에 담그어 실장하는 방법。

EMC

Electromagnetic Compatibility의 약자。EMI, EMS양쪽의 말을 가르킴。노이즈가 발생하지 않고 노이즈에 영향받지 않음。

EMI

Electromagnetic Interference의 약자。전자기현상의 간섭파에 의해 전자기기가 오작동을 일으키는 것(전자기방해)。부품자체에서 노이즈를 발생하지는 않음。

EMS

Electromagnetic Susceptibility의 약자。전자기현상의 간섭파에 의해 전자기기가 오작동을 일으키는 것。다른곳으로부터의 노이즈에 영향받지 않음。

SMT(표면실장)

Surface Mount Technology의 약자。전자부품을 프린트 기판에 실장하는 방법의 한가지。프린트 기판표면에 납땜을 칠한 부품을 마운트해, 리플로우로를 통해서 납땜을 녹이는 실장방법。

SMD

Surface Mount Device의 약자。SMT(표면실장)용의 부품을 SMD라고 한다。

다이오드

정류작용을 가지는 반도체소자。애노드에서 캐소드로 전류가 흐름。

드레인・소스간 온 저항(RDS(on))

《MOSFET》규정 게이트 전압을 인가해서, 규정 드레인 전류를 흘렸을 때의 드레인・소스간의 직류저항。

드레인・소스간 온 전압(VDS(on))

《MOSFET》규정 게이트 전압을 인가해서, 규정 드레인 전류를 흘렸을 때의 드레인・소스간의 온 전압。

드레인・소스간 전압(VSD)

《MOSFET》게이트 ・소스간을 단락한 뒤에 드레인・소스간에 인가 할 수 있는 전압의 피크치。

드레인 전류(ID)

《MOSFET》소스에 대한 게이트의 전압을 바꾸는 것으로 발생하는 전류。연속해서 흘러가는 드레인 전류의 최대값。

리플로우

전자부품을 프린트 기판에 땜할 때, 기판에 칠한 납땜을 로에서 녹여서 전자부품을 설치하는 방법。

보존온도 범위(Tstg)

보존(비작동시)의 주위온도 보증범위。

비반복 피크 역전압(VRSM)

《사이리스터》애노드・캐소드간에 반복인가 할 수 있는 오프전압의 피크치。

반복피크 오프전압(VDRM)

《사이리스터》애노드・캐소드간에 반복인가 할 수 있는 오프전압의 피크치。

반복피크 역전압(VRRM)

반복인가 할 수 있는역전압의 피크치/애노드・캐소드간에 반복인가 할 수 있는 역전압의 피크치。

사이리스터

전류제어용의 반도체소자。게이트 ‐캐소드에 전류를 인가하면, 애노드-캐소드간에 큰 전류가 흐름。

서지 순전류(IFSM)

50Hz또는 60Hz의 사인파1사이클을 비반복으로 흘리는 최대순전류의 피크치。

서지 온 전류(ITSM)

《사이리스터》50Hz 사인파1 사이클을 비반복으로 흘리는 최대온 전류의 피크치。

소스・드레인간 전압(VSD)

《MOSFET》게이트 ・소스간을 단락해서, 규정 소스전류를 흘렸을 때의 소스・드레인간 전압。

소스전류(IS)

《MOSFET》연속해서 흘러가는소스전류의 최대값。

실효 순전류(IF(RMS))

연속해서 통전 할 수 있는순전류의 실효치。

애노드

외부에서 전류가 유입되는 전극(+극)。

역회복시간(trr

《다이오드》순방향 통전상태에서 역방향으로 스위치할 때에, 역저지능력을 회복하기 까지의 시간。

열저항(Rth)

열적 평형 상태에 있을 때의 접합부・주위간, 혹은 접합부・케이스간과 같은 2점간의 단위 손실당의 온도차。Rth(j-c):접합・케이스간, Rth(j-l):접합・리드간, Rth(j-a):접합・주위간。

작동접합 온도범위(Tjw)

《다이오드・사이리스터》작동시의 접합온도 보증범위。

작동채널 온도범위(Tjw)

《MOSFET・IGBT》작동시의 채널온도의 범위。

전류2승시간곱(I2t)

10ms 미만 1ms까지의 비반복 피크 순전류를 계산하기 위한 값。

전손실(PD)

케이스온도25°C 에서의 최대 허용전력 손실。

캐소드

외부에서 전류가 유입되는 전극(-극)。

콜렉터 전류(Ic)

《IGBT》연속해서 흘러가는 콜렉터 전류의 최대값。

콜렉터・이미터간 전압(VCES)

《IGBT》게이트 ・이미터간을 단락한 뒤에 콜렉터・이미터간에 인가 할 수 있는 전압의 피크치。

콜렉터・이미터간 포화전압(VCE(sat))

《IGBT》규정 게이트 전압을 인가해서, 규정 드레인 전류를 흘렸을 때의 콜렉터・이미터간 전압。

트랜지스터

전류제어・전류증폭용 반도체 소자의 총칭。

트리거 게이트 전류(IGT)

《사이리스터》온 시키는 것에 필요한 최소게이트 전류。

트리거 게이트 전압(VGT)

《사이리스터》온 시키는 것에 필요한 최소게이트 전압。

평균 온 전류(Io)

《사이리스터》지정된 조건에서 상용 주파수(50Hz/60Hz)로 흘리는 최대 온 전류의 평균치。

평균 정류전류(Io)

지정된 조건에서 상용주파수(50Hz/60Hz)로 흘리는 최대평균 전류。

피크 순전압(VFM)

규정 순전류를 흘렸을 때의 순전압피크치。

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